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厂商型号

SNSS20101JT1G 

产品描述

Trans GP BJT NPN 20V 2A T/R

内部编号

277-SNSS20101JT1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:498000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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SNSS20101JT1G产品详细规格

规格书 SNSS20101JT1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
类型 NPN
最大集电极发射极电压 20 V
集电极最大直流电流 2 A
最小直流电流增益 200@10m@2V|200@100mA@2V|150@500mA@2V|100@1A@2V
最大工作频率 350(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.015@0.5mA@10mA|0.04@0.01A@0.1A|0.115@0.05A@0.5A|0.22@0.1A@1A V
最大集电极基极电压 40 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 300 mW
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 2
安装 Surface Mount
Maximum Transition Frequency 350(Typ)
包装宽度 0.85
PCB 3
筛选等级 Automotive
最大功率耗散 300
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 3
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 40
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SC-89
标准包装名称 SC-89
最高工作温度 150
包装长度 1.6
最大集电极发射极电压 20
包装高度 0.7
最大基地发射极电压 6
封装 Tape and Reel
铅形状 Flat
系列 *
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
品牌 ON Semiconductor
晶体管极性 NPN
RoHS RoHS Compliant

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